SPB80N10L G - MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

Référence fabricant

SPB80N10L G

Numéro de pièce interne

ABC-SPB80N10L G

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

59249 Pieces

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Spécifications pour SPB80N10L G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SPB80N10L G

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4540pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 250W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SPB , SPB80

Documents pour SPB80N10L G

Feuilles de données : SPB80N10L G.pdf

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