NTLJS3113PT1G - MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

Référence fabricant

NTLJS3113PT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NTLJS3113PT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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3199651 Pieces

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Spécifications pour NTLJS3113PT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTLJS3113PT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

Séries : µCool™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1329pF @ 16V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-WDFN (2x2)

Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTLJ , NTLJS3

Documents pour NTLJS3113PT1G

Feuilles de données : NTLJS3113PT1G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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