JAN1N4150UR-1 - DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Référence fabricant

JAN1N4150UR-1

Numéro de pièce interne

ABC-JAN1N4150UR-1

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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350588 Pieces

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Spécifications pour JAN1N4150UR-1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : JAN1N4150UR-1

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Séries : Military, MIL-PRF-19500/231

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 200mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 4ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 50V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-213AA

Package d'appareils du fournisseur : DO-213AA

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : JAN1 , JAN1N4

Documents pour JAN1N4150UR-1

Feuilles de données : JAN1N4150UR-1.pdf

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