SI1965DH-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Référence fabricant

SI1965DH-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI1965DH-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI1965DH-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI1965DH-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 P-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 6V

Puissance - Max : 1.25W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6 (SOT-363)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI196 , SI1965D

Documents pour SI1965DH-T1-GE3

Feuilles de données : SI1965DH-T1-GE3.pdf

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