APTC80DA15T1G - MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Référence fabricant

APTC80DA15T1G

Numéro de pièce interne

ABC-APTC80DA15T1G

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

105552 Pieces

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Spécifications pour APTC80DA15T1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTC80DA15T1G

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 28A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4507pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 277W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SP1

Paquet / caisse : SP1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTC , APTC80

Documents pour APTC80DA15T1G

Feuilles de données : APTC80DA15T1G.pdf

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