HERAF1006G C0G - DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC

Référence fabricant

HERAF1006G C0G

Numéro de pièce interne

ABC-HERAF1006G C0G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1962961 Pieces

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Spécifications pour HERAF1006G C0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : HERAF1006G C0G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 10A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 80ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-220-2 Full Pack

Package d'appareils du fournisseur : ITO-220AC

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : HERA , HERAF10

Documents pour HERAF1006G C0G

Feuilles de données : HERAF1006G C0G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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