SI3900DV-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Référence fabricant

SI3900DV-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI3900DV-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI3900DV-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI3900DV-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 830mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI390 , SI3900D

Documents pour SI3900DV-T1-GE3

Feuilles de données : SI3900DV-T1-GE3.pdf

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