S3M-E3/9AT - DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Référence fabricant

S3M-E3/9AT

Numéro de pièce interne

ABC-S3M-E3/9AT

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

4569656 Pieces

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Spécifications pour S3M-E3/9AT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : S3M-E3/9AT

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 3A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.15V @ 2.5A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 2.5µs

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 1000V

Capacité @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AB, SMC

Package d'appareils du fournisseur : DO-214AB (SMC)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : S3M , S3M-E

Documents pour S3M-E3/9AT

Feuilles de données : S3M-E3/9AT.pdf

Produits associés pour S3M-E3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	Marque	La description
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