ZXMN10A08GTA - MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Référence fabricant

ZXMN10A08GTA

Numéro de pièce interne

ABC-ZXMN10A08GTA

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1993327 Pieces

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Spécifications pour ZXMN10A08GTA

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ZXMN10A08GTA

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 405pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-223

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ZXMN , ZXMN10

Documents pour ZXMN10A08GTA

Feuilles de données : ZXMN10A08GTA.pdf

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