NTJD1155LT1G - MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

Référence fabricant

NTJD1155LT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NTJD1155LT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

5114445 Pieces

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Spécifications pour NTJD1155LT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTJD1155LT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 8V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 400mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : SC-88/SC70-6/SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTJD , NTJD11

Documents pour NTJD1155LT1G

Feuilles de données : NTJD1155LT1G.pdf

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