DMT8012LFG-13 - MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Référence fabricant

DMT8012LFG-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMT8012LFG-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMT8012LFG-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMT8012LFG-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Ta), 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1949pF @ 40V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.2W (Ta), 30W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMT8 , DMT801

Documents pour DMT8012LFG-13

Feuilles de données : DMT8012LFG-13.pdf

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