A2T18S162W31GSR3 - IC TRANS RF LDMOS

Référence fabricant

A2T18S162W31GSR3

Numéro de pièce interne

ABC-A2T18S162W31GSR3

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

IC TRANS RF LDMOS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

46563 Pieces

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Spécifications pour A2T18S162W31GSR3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : A2T18S162W31GSR3

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : IC TRANS RF LDMOS

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : LDMOS

La fréquence : 1.84GHz

Gain : 20.1dB

Tension - Test : 28V

Note actuelle : -

Figure de bruit : -

Courant - Test : 1A

Puissance - sortie : 32W

Tension - nominale : 65V

Paquet / caisse : NI-780GS-2L2LA

Package d'appareils du fournisseur : NI-780GS-2L2LA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : A2T18 , A2T18S16

Documents pour A2T18S162W31GSR3

Feuilles de données : A2T18S162W31GSR3.pdf

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