C2M0045170P - ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS

Référence fabricant

C2M0045170P

Numéro de pièce interne

ABC-C2M0045170P

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Brève description

ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

35616 Pieces

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Spécifications pour C2M0045170P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : C2M0045170P

Fabricant : Cree/Wolfspeed

La description : ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS

Séries : C2M™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1700V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 72A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 18mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 188nC @ 20V

Vgs (Max) : +25V, -10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3672pF @ 1000V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 520W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247-4L

Paquet / caisse : TO-247-4

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : C2M , C2M00

Documents pour C2M0045170P

Feuilles de données : C2M0045170P.pdf

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