IRF9910PBF - MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Référence fabricant

IRF9910PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF9910PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF9910PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF9910PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.55V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 10V

Puissance - Max : 2W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRF99

Documents pour IRF9910PBF

Feuilles de données : IRF9910PBF.pdf

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