AS4C16M32MS-6BINTR - IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Référence fabricant

AS4C16M32MS-6BINTR

Numéro de pièce interne

ABC-AS4C16M32MS-6BINTR

Fabricant

Alliance Memory, Inc.

Brève description

IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

44226 Pieces

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Spécifications pour AS4C16M32MS-6BINTR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AS4C16M32MS-6BINTR

Fabricant : Alliance Memory, Inc.

La description : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile SDRAM

Taille mémoire : 512Mb (16M x 32)

Fréquence d'horloge : 166MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 5.4ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 90-VFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 90-FBGA (8x13)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AS4C16 , AS4C16M32

Documents pour AS4C16M32MS-6BINTR

Feuilles de données : AS4C16M32MS-6BINTR.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.
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