PMG45UN,115 - MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Référence fabricant

PMG45UN,115

Numéro de pièce interne

ABC-PMG45UN,115

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

79008 Pieces

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Spécifications pour PMG45UN,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMG45UN,115

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 184pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 375mW (Ta), 4.35W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-TSSOP

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMG , PMG45

Documents pour PMG45UN,115

Feuilles de données : PMG45UN,115.pdf

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