RZM001P02T2L - MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3

Référence fabricant

RZM001P02T2L

Numéro de pièce interne

ABC-RZM001P02T2L

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RZM001P02T2L

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RZM001P02T2L

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : VMT3

Paquet / caisse : SOT-723

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RZM0 , RZM001

Documents pour RZM001P02T2L

Feuilles de données : RZM001P02T2L.pdf

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