FDR8305N - MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Référence fabricant

FDR8305N

Numéro de pièce interne

ABC-FDR8305N

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDR8305N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDR8305N

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 10V

Puissance - Max : 800mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDR8

Documents pour FDR8305N

Feuilles de données : FDR8305N.pdf

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