SI4866BDY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Référence fabricant

SI4866BDY-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI4866BDY-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI4866BDY-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI4866BDY-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 21.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5020pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI486 , SI4866BD

Documents pour SI4866BDY-T1-GE3

Feuilles de données : SI4866BDY-T1-GE3.pdf

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