FCP190N65S3R0 - MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Référence fabricant

FCP190N65S3R0

Numéro de pièce interne

ABC-FCP190N65S3R0

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FCP190N65S3R0

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FCP190N65S3R0

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Séries : SuperFET® III

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 17A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.7mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 144W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FCP1 , FCP190

Documents pour FCP190N65S3R0

Feuilles de données : FCP190N65S3R0.pdf

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