IXTA1R4N120P - MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Référence fabricant

IXTA1R4N120P

Numéro de pièce interne

ABC-IXTA1R4N120P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IXTA1R4N120P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTA1R4N120P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Séries : Polar™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 86W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXTA)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXTA , IXTA1R

Documents pour IXTA1R4N120P

Feuilles de données : IXTA1R4N120P.pdf

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