TK25V60X,LQ - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Référence fabricant

TK25V60X,LQ

Numéro de pièce interne

ABC-TK25V60X,LQ

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

285117 Pieces

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Spécifications pour TK25V60X,LQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK25V60X,LQ

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Séries : DTMOSIV-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 135 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 300V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 180W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 4-DFN-EP (8x8)

Paquet / caisse : 4-VSFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK2 , TK25V

Documents pour TK25V60X,LQ

Feuilles de données : TK25V60X,LQ.pdf

Produits associés pour TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
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