TK6P65W,RQ - MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Référence fabricant

TK6P65W,RQ

Numéro de pièce interne

ABC-TK6P65W,RQ

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TK6P65W,RQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK6P65W,RQ

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Séries : DTMOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 180µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 300V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 60W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK6 , TK6P6

Documents pour TK6P65W,RQ

Feuilles de données : TK6P65W,RQ.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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