NSBC114TDXV6T1G - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Référence fabricant

NSBC114TDXV6T1G

Numéro de pièce interne

ABC-NSBC114TDXV6T1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NSBC114TDXV6T1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NSBC114TDXV6T1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V

Résistance - Base (R1) : 10 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2) : -

Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 160 @ 5mA, 10V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA

Fréquence - Transition : -

Puissance - Max : 500mW

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666

Package d'appareils du fournisseur : SOT-563

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NSBC1 , NSBC114

Documents pour NSBC114TDXV6T1G

Feuilles de données : NSBC114TDXV6T1G.pdf

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