PHT6N06LT,135 - MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

Référence fabricant

PHT6N06LT,135

Numéro de pièce interne

ABC-PHT6N06LT,135

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour PHT6N06LT,135

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PHT6N06LT,135

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 5V

Vgs (Max) : ±13V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-223

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PHT6 , PHT6N0

Documents pour PHT6N06LT,135

Feuilles de données : PHT6N06LT,135.pdf

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