AS4C64M8D1-5TCN - IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Référence fabricant

AS4C64M8D1-5TCN

Numéro de pièce interne

ABC-AS4C64M8D1-5TCN

Fabricant

Alliance Memory, Inc.

Brève description

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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253589 Pieces

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Spécifications pour AS4C64M8D1-5TCN

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AS4C64M8D1-5TCN

Fabricant : Alliance Memory, Inc.

La description : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR

Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)

Fréquence d'horloge : 200MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 700ps

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 66-TSOP II

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AS4C6 , AS4C64M

Documents pour AS4C64M8D1-5TCN

Feuilles de données : AS4C64M8D1-5TCN.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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