DMTH10H025LK3-13 - MOSFET NCH 100V TO252

Référence fabricant

DMTH10H025LK3-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMTH10H025LK3-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET NCH 100V TO252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

43537 Pieces

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Spécifications pour DMTH10H025LK3-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMTH10H025LK3-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET NCH 100V TO252

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 51.7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1477pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMTH1 , DMTH10H0

Documents pour DMTH10H025LK3-13

Feuilles de données : DMTH10H025LK3-13.pdf

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