IXFT58N20 - MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Référence fabricant

IXFT58N20

Numéro de pièce interne

ABC-IXFT58N20

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IXFT58N20

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFT58N20

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Séries : HiPerFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 58A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-268

Paquet / caisse : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFT

Documents pour IXFT58N20

Feuilles de données : IXFT58N20.pdf

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