DGD2108S8-13 - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Référence fabricant

DGD2108S8-13

Numéro de pièce interne

ABC-DGD2108S8-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

782663 Pieces

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Spécifications pour DGD2108S8-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DGD2108S8-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration pilotée : Half-Bridge

Type de canal : Independent

Nombre de conducteurs : 2

Type de porte : IGBT, N-Channel MOSFET

Tension - Alimentation : 10V ~ 20V

Tension logique - VIL, VIH : 0.6V, 2.5V

Courant - sortie de crête (source, puits) : 290mA, 600mA

Type d'entrée : Non-Inverting

Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 600V

Temps de montée / descente (type) : 100ns, 35ns

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DGD2 , DGD210

Documents pour DGD2108S8-13

Feuilles de données : DGD2108S8-13.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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