IRF135B203 - MOSFET NCH 135V 129A TO220

Référence fabricant

IRF135B203

Numéro de pièce interne

ABC-IRF135B203

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET NCH 135V 129A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IRF135B203

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF135B203

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET NCH 135V 129A TO220

Séries : StrongIRFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 135V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 129A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 77A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 441W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRF13

Documents pour IRF135B203

Feuilles de données : IRF135B203.pdf

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