IXTU1R4N60P - MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Référence fabricant

IXTU1R4N60P

Numéro de pièce interne

ABC-IXTU1R4N60P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXTU1R4N60P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTU1R4N60P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Séries : PolarHV™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-251

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTU1

Documents pour IXTU1R4N60P

Feuilles de données : IXTU1R4N60P.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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