STD1HNC60T4 - MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Référence fabricant

STD1HNC60T4

Numéro de pièce interne

ABC-STD1HNC60T4

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

102304 Pieces

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Spécifications pour STD1HNC60T4

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STD1HNC60T4

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Séries : PowerMESH™ II

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 228pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STD , STD1H

Documents pour STD1HNC60T4

Feuilles de données : STD1HNC60T4.pdf

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