IRF8252TRPBF-1 - MOSFET N-CH 25V 25A

Référence fabricant

IRF8252TRPBF-1

Numéro de pièce interne

ABC-IRF8252TRPBF-1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 25V 25A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

92864 Pieces

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Spécifications pour IRF8252TRPBF-1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF8252TRPBF-1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 25V 25A

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5305pF @ 13V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF8 , IRF8252

Documents pour IRF8252TRPBF-1

Feuilles de données : IRF8252TRPBF-1.pdf

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