TK100L60W,VQ - MOSFET N CH 600V 100A TO3PL

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Numéro de pièce interne
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MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK100L60W,VQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK100L60W,VQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 30V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 797W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P(L)
Paquet / caisse : TO-3PL
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK10 , TK100L

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Feuilles de données : TK100L60W,VQ.pdf

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