IXTH200N10T - MOSFET N-CH 100V 200A TO-247

Référence fabricant

IXTH200N10T

Numéro de pièce interne

ABC-IXTH200N10T

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 100V 200A TO-247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXTH200N10T

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTH200N10T

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 100V 200A TO-247

Séries : TrenchMV™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 152nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9400pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 550W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247 (IXTH)

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTH2

Documents pour IXTH200N10T

Feuilles de données : IXTH200N10T.pdf

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