GA10SICP12-263 - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Référence fabricant

GA10SICP12-263

Numéro de pièce interne

ABC-GA10SICP12-263

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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43537 Pieces

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Spécifications pour GA10SICP12-263

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GA10SICP12-263

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : -

La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 170W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK (7-Lead)

Paquet / caisse : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GA10 , GA10SIC

Documents pour GA10SICP12-263

Feuilles de données : GA10SICP12-263.pdf

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