SCTH90N65G2V-7 - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Référence fabricant

SCTH90N65G2V-7

Numéro de pièce interne

ABC-SCTH90N65G2V-7

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SCTH90N65G2V-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SCTH90N65G2V-7

Fabricant : STMicroelectronics

La description : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 90A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 157nC @ 18V

Vgs (Max) : +22V, -10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 330W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : H2PAK-7

Paquet / caisse : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SCTH , SCTH90N

Documents pour SCTH90N65G2V-7

Feuilles de données : SCTH90N65G2V-7.pdf

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