RN1113MFV,L3F - X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Référence fabricant

RN1113MFV,L3F

Numéro de pièce interne

ABC-RN1113MFV,L3F

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

22589707 Pieces

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Spécifications pour RN1113MFV,L3F

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RN1113MFV,L3F

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : NPN - Pre-Biased

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V

Résistance - Base (R1) : 47 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2) : -

Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100nA (ICBO)

Fréquence - Transition : -

Puissance - Max : 150mW

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-723

Package d'appareils du fournisseur : VESM

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RN11 , RN1113

Documents pour RN1113MFV,L3F

Feuilles de données : RN1113MFV,L3F.pdf

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