DMN10H170SFDE-7 - MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Référence fabricant

DMN10H170SFDE-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN10H170SFDE-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN10H170SFDE-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN10H170SFDE-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1167pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 660mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2020-6 (Type E)

Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN10 , DMN10H1

Documents pour DMN10H170SFDE-7

Feuilles de données : DMN10H170SFDE-7.pdf

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