SSM3J325F,LF - MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Référence fabricant

SSM3J325F,LF

Numéro de pièce interne

ABC-SSM3J325F,LF

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

9092356 Pieces

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Spécifications pour SSM3J325F,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SSM3J325F,LF

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Séries : U-MOSVI

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 600mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : S-Mini

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SSM3 , SSM3J3

Documents pour SSM3J325F,LF

Feuilles de données : SSM3J325F,LF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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