NDS356AP - MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Référence fabricant

NDS356AP

Numéro de pièce interne

ABC-NDS356AP

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NDS356AP

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NDS356AP

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ND , NDS3

Documents pour NDS356AP

Feuilles de données : NDS356AP.pdf

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