ZXMN6A08GQTA - MOSFET N-CH 60VSOT223

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 60VSOT223
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ZXMN6A08GQTA

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ZXMN6A08GQTA
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60VSOT223
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 459pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-223
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : ZXMN , ZXMN6A

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Feuilles de données : ZXMN6A08GQTA.pdf

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