IXTA110N12T2 - 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Référence fabricant

IXTA110N12T2

Numéro de pièce interne

ABC-IXTA110N12T2

Fabricant

IXYS

Brève description

120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

166992 Pieces

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Spécifications pour IXTA110N12T2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTA110N12T2

Fabricant : IXYS

La description : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Séries : TrenchT2™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 120V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 110A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6570pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 517W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXTA)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXTA , IXTA11

Documents pour IXTA110N12T2

Feuilles de données : IXTA110N12T2.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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