LN100LA-G - MOSFET 2N-CH 1200V

Référence fabricant

LN100LA-G

Numéro de pièce interne

ABC-LN100LA-G

Fabricant

Microchip Technology

Brève description

MOSFET 2N-CH 1200V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

52949 Pieces

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Spécifications pour LN100LA-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : LN100LA-G

Fabricant : Microchip Technology

La description : MOSFET 2N-CH 1200V

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Cascoded)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 10µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V

Puissance - Max : 350mW

Température de fonctionnement : -25°C ~ 125°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-VFLGA

Package d'appareils du fournisseur : 6-LFGA (3x3)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : LN1 , LN10

Documents pour LN100LA-G

Feuilles de données : LN100LA-G.pdf

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