IRLW630ATM - MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

Référence fabricant

IRLW630ATM

Numéro de pièce interne

ABC-IRLW630ATM

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

112472 Pieces

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Spécifications pour IRLW630ATM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRLW630ATM

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 69W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK (TO-262)

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRL , IRLW6

Documents pour IRLW630ATM

Feuilles de données : IRLW630ATM.pdf

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