DMN3016LDN-13 - MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Référence fabricant

DMN3016LDN-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMN3016LDN-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour DMN3016LDN-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN3016LDN-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : -

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 15V

Puissance - Max : -

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Package d'appareils du fournisseur : V-DFN3030-8 (Type J)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN3 , DMN301

Documents pour DMN3016LDN-13

Feuilles de données : DMN3016LDN-13.pdf

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