IPI100N06S3L04XK - MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Référence fabricant

IPI100N06S3L04XK

Numéro de pièce interne

ABC-IPI100N06S3L04XK

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPI100N06S3L04XK

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPI100N06S3L04XK

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 150µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 362nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 17270pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 214W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO262-3

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPI10 , IPI100N0

Documents pour IPI100N06S3L04XK

Feuilles de données : IPI100N06S3L04XK.pdf

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