STFI260N6F6 - MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP

Référence fabricant

STFI260N6F6

Numéro de pièce interne

ABC-STFI260N6F6

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

140096 Pieces

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Spécifications pour STFI260N6F6

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STFI260N6F6

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP

Séries : DeepGATE™, STripFET™ VI

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 183nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 11400pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 41.7W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAKFP (TO-281)

Paquet / caisse : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STF , STFI2

Documents pour STFI260N6F6

Feuilles de données : STFI260N6F6.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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