SISH108DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 20 V POWERPAK 1212

Référence fabricant

SISH108DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SISH108DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 20 V POWERPAK 1212

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SISH108DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISH108DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 20 V POWERPAK 1212

Séries : TrenchFET® Gen II

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 14A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8SH

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8SH

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISH1 , SISH108D

Documents pour SISH108DN-T1-GE3

Feuilles de données : SISH108DN-T1-GE3.pdf

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