IXTA160N10T7 - MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Référence fabricant

IXTA160N10T7

Numéro de pièce interne

ABC-IXTA160N10T7

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXTA160N10T7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTA160N10T7

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Séries : TrenchMV™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 160A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 430W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263-7 (IXTA..7)

Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXTA , IXTA16

Documents pour IXTA160N10T7

Feuilles de données : IXTA160N10T7.pdf

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